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功率元器件的发展与电源IC技术的变革

www.zgfxnews.net 来源:电子产品世界 发布时间:12-11-23 9:49:16

线性稳压器—丰富的产品阵容 另外,作为可最大程度控制LDO损耗的系列电源,备有Ultra LDO BD35xx系列产品。该系列产品是采用Nch FET与双电源结构两种手法、可大幅降低输入输出电压差的系列电源。系列电源的效率由 。外……

为了防止地球温室化,减少co2排放量已成为人类的课题。为了减少co2排放量,节电与提高电压的转换效率是当务之急。在这种背景下,罗姆通过用于led照明的技术贡献于节电,通过提升转换效率。

而提高转换效率就需要减少损耗。发电站产生几十万伏的电压,通过电线和变压器将这些电压降低为如我们所熟悉的手机充电器所提供的约5v的电压进行使用。从发电站到充电器之间电压被多次转换,每次转换都会发生损耗。这些损耗的原因之一是的损耗。只要这些损耗变成零,就可以大幅消减co2排放量。虽然不能完全达到零,但为了接近零,日以继夜在进行反复的研究和开发。认为通过这些研发结果降低损耗、减少co2排放,可以提高的企业存在价值。

提起半导体,一般人会想到施以微细加工的大规模集成电路

通过sic产品覆盖高电压范围,通过sj-mos和覆盖几百伏左右电压范围。近年来,正在发力扩充几百伏左右的商品的产品阵容。当然,传统的低耐压范围的商品扩充也在同时开发。2012年8月发布的新结构就是耐压40v、电流可达100a的产品。该产品损耗的主要因素——ron仅为1mω。

另外,在二极管方面,成功开发出一直以来认为要求极为苛刻的高耐热sbd。此产品即使在电气化程度越来越高的汽车这样的苛刻温度条件下亦可使用,可改善燃效。

不仅如此,正在不断提高驱动这些的ic的耐压性能。以往耐压数十伏的ic,如今耐压性能已经提高到600v,可驱动各种耐压水平的。

对于需要绝缘的整机产品,可使用2012年5月推出的带绝缘功能的栅极驱动器。此产品将3枚芯片一体封装,通过绝缘化,使电源部与控制部的分离成为可能,绝缘耐压已实现2500vrms。这是通过融合了旗下ic电路设计技术、半导体 。其中,备受瞩目的是2012年7月推出的电路电流实现6μa的车载用ldo注10。该产品使用耐压50v的bicdmos工艺,仅1枚芯片即实现了电源电路。市场上存在电路电流小的产品,但这种耐压水平高并且可在苛刻的车载市场使用的、确保电气特性与可靠性的产品在全球尚属首例※。

[图2] 线性稳压器—丰富的产品阵容

另外,作为可最大程度控制ldo损耗的系列电源,备有ultra ldo bd35xx系列产品。该系列产品是采用nch fet与双电源结构两种手法、可大幅降低输入输出电压差的系列电源。系列电源的效率由 。外围部件仅3个:输入输出电容和1个线圈,而其最大的特点是频率更高因此可使用小型产品,整体上可减少电源部份面积。此外,实现了1.3mm×0.9mm的小型封装、电路电流仅40μa的低耗电量,从而在以智能手机为首的便携设备中广为采用 。

[图4] 20mhz开关电源“无线圈”降压dc/dc转换器 技术,从0.96mm×0.96mm向0.8mm×0.8mm不断推进小型化,这与端子间距正在从0.5mm变为0.4mm同步向小型化进展。

在小型化方面,进一步加快研发的步伐,开发出端子间距仅为0.3mm的世界最小※的0.65mm×0.65mm尺寸封装 系列。可作为升压电源和升降压电源使用,是实现了仅为2.3×2.4mm的世界最小※尺寸的产品。当然,高度也是1mm。

该系列产品的使用方法多种多样。例如,在用锂离子电池 ,氮化镓(gan)为原材料的产品的研发,并已陆续推出了适用于不同业界的各种解决方案,利用高新技术将这两种“理想器件”植入生活的各个层面。通过在高效化、大电流化、高耐压化、小型化、模块化等各个方面的研发,带来更多精彩的呈现。

即将于2012年11月16~21日在深圳举办的第十四届高交会电子展上,您将在展台上看到在这里介绍的和电源ic等众多产品,欢迎莅临现场,亲身体验!

超级结的缩写。即超级结金属氧化物场效应三极管。

metal-oxide-semiconductor field-effect transistor的缩写。即金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

注3:双极晶体管

又称双极型晶体管(bipolar transistor),由两个背靠背pn结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。

注4:肖特基势垒二极管(sbd)

肖特基势垒二极管(schottky barrier diode,缩写成sbd)是一种热载流子二极管。

注5:快速恢复二极管(frd)

快速恢复二极管(fast recovery diode,缩写成frd)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。

注6:二极管(di)

又称晶体二极管,简称二极管(diode,缩写成di),是一种具有单向传导电流的电子器件。

注7:齐纳二极管

又称稳压二极管,是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

silicon carbide的缩写。即碳化硅,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。

即氮化镓,属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构。

注10:ldo

low dropout regulator的缩写。即低压差线性稳压器。

注11:dc/dc转换器

是转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。

注12:fet

field effect transistor的缩写。场效应晶体管,简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。属于电压控制型半导体器件。

注13:四大发展战略

2008年于创立50周年之际,面向未来50年提出发展战略。其中包括:

(1)相乘战略:将融合模拟ic及lapis semiconductor的数字lsi技术,开拓汽车、工控市场。

(2)战略:以sic为核心的元器件技术及依据功率ic的控制技术,以及将二者合二为一的模块技术,融合这三项技术,不断为节能环保做出贡献。

(3)led战略:以led照明为核心,从led贴片、驱动ic到电源模块提供综合性led综合解决方案。

(4)传感器战略:于2009年将mems加速度传感器的供应商kionix公司纳入集团,以世界顶级的产品阵容,满足传感器市场的各种需求。

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